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J-GLOBAL ID：200903017718126482

基板、特に光学、電子工学または電子光学用基板の製造方法、およびこの製造方法により得られる基板

Inventor： ルテルトゥル,ファブリス ,  ギスラン,ブリュノ
Applicant, Patent owner： エス オー イ テク シリコン オン インシュレータ テクノロジース
Agent (1)： 太田 恵一
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2002544758
Publication number (International publication number)：2004517472
Application date： Nov. 26, 2001
Publication date： Jun. 10, 2004
Summary：

本発明は、基板、特に光学、電子工学または電子光学用基板の製造方法に関するものである。その製造方法は以下のそれぞれの工程を含むものである:接着界面に分子付着によりサポート(12)上にシード層(2)を転写し、シード層上に有効層(16)のエピタキシーを形成し、次いでシード層(2)と有効層(16)により構成された組立体を、接着界面においてサポート(12)に対して分離に導くために応力を加える。

Claim (excerpt)：

以下の工程を含むことを特徴とする、基板、特に光学、電子工学または電子光学用基板の製造方法: -接着界面における分子付着による、サポート(12)上のシード層(2)への転写、 -シード層上の有効層(16)のエピタキシー、および -シード層(2)と有効層(16)により構成された組立体の、接着界面におけるサポート(12)に対し分離に導く応力の印加。

IPC (1)：

H01L33/00

FI (1)：

H01L33/00 N

F-Term (4)：

5F041AA42 ,  5F041AA43 ,  5F041CA77 ,  5F041DA20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 薄い半導体材料フィルムの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-246594   Applicant：コミサリヤ・ア・レネルジ・アトミク
• 半導体発光素子及びその製造方法並びに半導体発光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-272286   Applicant：株式会社東芝
• 薄膜半導体、太陽電池および発光素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-053354   Applicant：ソニー株式会社
• 発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-058024   Applicant：株式会社日立製作所