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J-GLOBAL ID：200903053718996939
半導体発光素子及びその製造方法並びに半導体発光装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998272286
Publication number (International publication number)：2000101139
Application date： Sep. 25, 1998
Publication date： Apr. 07, 2000
Summary：
【要約】【課題】 良好なへき開性、放熱性、リーク耐圧性などを有する窒化物系半導体の半導体発光素子及びその製造方法並びに半導体発光装置を提供することを目的とする。【解決手段】 サファイアなどの基板上に窒化物系半導体層をエピタキシャル成長させ、基板を剥離する。基板を剥離する方法としては、「リフトオフ層」を設ける方法と、基板の表面に加工を施して凹部を設ける方法と、基板の裏面側からレーザ光を照射する方法を挙げることができる。基板を剥離して得られた窒化物系半導体層を新たな基板としてその上に高品質の窒化物系半導体層をエピタキシャル成長させることもできる。
Claim (excerpt)：
半導体発光素子の製造方法であって、基板上に結晶欠陥または欠損部の少なくともいずれかを含んだリフトオフ層を設ける工程と、前記リフトオフ層の上に窒化物系半導体からなる層を設ける工程と、前記リフトオフ層に応力を加えることにより、前記基板と前記窒化物系半導体からなる層とを分離する工程と、を備えたことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
F-Term (9)：
5F041AA31
, 5F041AA43
, 5F041CA05
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA65
, 5F041CA67
, 5F041CA77
, 5F041CB36
Cited by examiner (3)
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窒化物半導体基板の製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平10-179856
Applicant：日亜化学工業株式会社
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薄膜半導体、太陽電池および発光素子の製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平9-053354
Applicant：ソニー株式会社
-
ダイヤモンド薄板の製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平5-024033
Applicant：住友電気工業株式会社
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