半導体装置およびその作製方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007034432
Publication number (International publication number)：2007258689
Application date： Feb. 15, 2007
Publication date： Oct. 04, 2007
Summary：

【課題】プロセス技術が比較的簡単、且つ、少ない素子数で多値情報を記憶することができる新規のメモリを提供する。【解決手段】第1の記憶素子における第1の電極の形状の一部を、第2の記憶素子における第1の電極の形状と異ならせることで、第1の電極と第2の電極の間の電気抵抗が変化する電圧値を異ならせて、1ビットを越える多値の情報の記憶を一つのメモリセルで行う。第1の電極を部分的に加工することで単位面積当たりの記憶容量を増大することができる。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

絶縁表面上に第1の電極と、該第1の電極上に材料層と、該材料層上に第2の電極とを有する第1の記憶素子と、前記第1の記憶素子と隣り合う位置に第2の記憶素子を有し、前記第1の記憶素子と前記第2の記憶素子は、電気抵抗の変化する電圧値が異なり、前記第1の記憶素子の第2の電極は、前記第2の記憶素子と共通であり、前記第1の記憶素子と前記第2の記憶素子は、同じ薄膜トランジスタに電気的に接続していることを特徴とする半導体装置。

IPC (7)：

H01L 27/28 , H01L 51/05 , H01L 45/00 , H01L 49/00 , H01L 27/10 , H01L 29/786 , G11C 13/00

FI (8)：

H01L27/10 449 , H01L45/00 Z , H01L49/00 Z , H01L29/28 100B , H01L27/10 481 , H01L29/28 500 , H01L29/78 613B , G11C13/00 A

F-Term (60)：

5F083FZ07 , 5F083GA05 , 5F083GA10 , 5F083GA25 , 5F083HA02 , 5F083HA10 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA42 , 5F083NA08 , 5F083PR03 , 5F083PR18 , 5F083PR23 , 5F083PR34 , 5F083ZA14 , 5F083ZA21 , 5F110AA30 , 5F110BB04 , 5F110BB05 , 5F110CC02 , 5F110CC04 , 5F110DD01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE32 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF23 , 5F110FF29 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110GG15 , 5F110GG24 , 5F110GG25 , 5F110GG44 , 5F110HJ01 , 5F110HJ12 , 5F110HK05 , 5F110HK40 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL07 , 5F110HM15 , 5F110NN01 , 5F110NN03 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN35 , 5F110NN72 , 5F110PP03 , 5F110QQ09 , 5F110QQ16 , 5F110QQ19 , 5F110QQ24

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

メモリのセル構造及びメモリデバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-375809 Applicant：セイコーエプソン株式会社

Cited by examiner (1)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-073727 Applicant：セイコーエプソン株式会社

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