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J-GLOBAL ID:200903017756340889

中性子吸収材及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004369012
Publication number (International publication number):2006177697
Application date: Dec. 21, 2004
Publication date: Jul. 06, 2006
Summary:
【課題】 十分な中性子吸収能を持ち、しかも、大型品や複雑形状であっても容易にかつ低コストで製造可能な中性子吸収材及びその製造方法を提供する。【解決手段】 金属製の基材の表面に、アルミニウムやニッケルなどの金属粉末と炭化ホウ素などのホウ素化合物粉末とを溶射またはコールドスプレー法によりコーティングし、該基材の表面に対し実質的に全面にわたって密着した金属-ホウ素複合層を設けたことを特徴とする中性子吸収材。金属粉末とホウ素化合物粉末とを同時に溶射またはコールドスプレーしてもよく、それらの混合粉末または複合粉末を用いてもよい。【選択図】なし
Claim (excerpt):
金属製の基材と、該基材の表面に構成された金属-ホウ素複合層とからなる中性子吸収材であって、金属-ホウ素複合層と基材とが実質的に全面にわたって密着されていることを特徴とする、中性子吸収材。
IPC (3):
G21F 1/08 ,  C23C 4/06 ,  C23C 4/10
FI (3):
G21F1/08 ,  C23C4/06 ,  C23C4/10
F-Term (5):
4K031CB21 ,  4K031CB22 ,  4K031CB35 ,  4K031CB37 ,  4K031CB44
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2) Cited by examiner (5)
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