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J-GLOBAL ID：200903017780302793

ZnO薄膜形成方法

Inventor： 速水 俊一 ,  川合 知二 ,  田畑 仁
Applicant, Patent owner： ミノルタ株式会社
Agent (1)： 森下 武一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995217099
Publication number (International publication number)：1997059762
Application date： Aug. 25, 1995
Publication date： Mar. 04, 1997
Summary：

【要約】【課題】 配向性が優れているZnO薄膜をガラス基板上に形成する。【解決手段】 ガラス基板16の温度を200〜700°Cの範囲内で任意に設定し、かつ成膜室10内の酸素ガス圧を7×10-5〜1×10-2Torrの範囲内で任意に設定する。レーザ光Lは窓部11から成膜室10へ導入され、ZnOターゲット15を照射する。ターゲット15はレーザ光の照射によって成膜材料(中性原子、分子、イオン)を放出し、これらの成膜材料はガラス基板16上に堆積/結晶化してZnO薄膜を形成する。

Claim (excerpt)：

レーザアブレーション法によって基板上に成膜材料を堆積/結晶化して薄膜を形成する方法において、ガス圧が7×10-5〜1×10-2Torrの酸素ガス雰囲気中で、ZnOターゲットから放出された成膜材料を、基板温度が200〜700°Cのガラス基板上に到達させ、このガラス基板上にZnO薄膜を形成することを特徴とするZnO薄膜形成方法。

IPC (3)：

C23C 14/08 ,  C03C 17/245 ,  C23C 14/28

FI (3)：

C23C 14/08 C ,  C03C 17/245 A ,  C23C 14/28