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J-GLOBAL ID：200903017798091846

HgCdTe薄膜の成長方法

Inventor： 佐々木 得人
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993308248
Publication number (International publication number)：1995161737
Application date： Dec. 08, 1993
Publication date： Jun. 23, 1995
Summary：

【要約】【目的】 HgCdTeと格子不整合・熱膨張係数差の存在する基板を使用したHgCdTe膜の成長方法において、HgCdTeへの格子歪と熱歪を緩和することのでき、かつ簡便に作製が可能なバッファ層を用いてHgCdTe層を成長する方法を提供する。【構成】 HgCdTe成長温度に近く、かつCdTe自身の結晶性を損なわない程度の低温でCdTeバッファ層3を成長することにより、降温時の熱歪を緩和することができる。又、蒸気圧の桁の異なるCdTe化合物と水銀を同時に用いることにより、水銀の濃度が20%以下のCdTeバッファ層3が容易に形成され、赤外線検出層の波長に対して透過でかつ格子歪の緩和されたバッファ層として働くことが可能となる。

Claim (excerpt)：

水銀カドミウムテルル(Hg1 - x Cdx Te)と格子不整合の大きい基板上に複数層のCdTe薄膜をバッファ層として形成し、その上に水銀カドミウムテルル薄膜を成長する方法において、水銀カドミウムテルル薄膜直下のバッファ層を230°Cから250°Cで形成することを特徴とするHgCdTe膜の成長方法。

IPC (4)：

H01L 21/363 ,  C01G 13/00 ,  C30B 29/46 ,  H01L 21/203

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• エピタキシャル結晶を備えた半導体基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-053516   Applicant：富士通株式会社