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J-GLOBAL ID：200903017805889247

半導体発光装置

Inventor： 前田 俊秀 ,  小原 邦彦 ,  山口 和也 ,  内田 浩
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997269576
Publication number (International publication number)：1999112028
Application date： Oct. 02, 1997
Publication date： Apr. 23, 1999
Summary：

【要約】【課題】 たとえば窒化ガリウム系化合物を透明のサファイア基板に積層する発光素子において、基板から放出される光を光取出し面側方向への発光分として有効に回収できるようにして全体の発光効率を向上させる。【解決手段】 透明の結晶基板4aの上にp-n接合の半導体層を積層するとともに主光取出し面側にp側電極4b及びn側電極4cをそれぞれ備えた発光素子4と、この発光素子4を搭載するマウント3を一体に備えて発光素子4に電気的に導通させるリードフレーム1とを備え、マウント3には、主光取出し面以外の他の面からの光を、発光素子4と干渉しない光路を経由させて主光取出し面からの発光方向とほぼ同じ向きに反射させる反射面構造を備える。

Claim (excerpt)：

透明の結晶基板の上にp-n接合の半導体層を積層するとともに結晶基板と対向する一面にp側電極及びn側電極をそれぞれ備えた発光素子と、この発光素子を搭載して電気的に導通させる搭載導通部材とを備え、p側電極を設けた面を主光取出し面とした半導体発光装置であって、搭載導通部材に形成されて発光素子を搭載するマウントに、主光取出し面以外のほかの光取出し面からの光を、発光素子と干渉しない光路であって主光取出し面からの発光方向とほぼ同じ向きに反射させる反射面構造を備えてなる半導体発光装置。

FI (2)：

H01L 33/00 A ,  H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体発光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-176815   Applicant：株式会社東芝
• 特開昭49-042290