半導体メモリ装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小鍜治明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992168779
Publication number (International publication number)：1994012869
Application date： Jun. 26, 1992
Publication date： Jan. 21, 1994
Summary：

【要約】【目的】コラムデコード信号の選択動作によるアドレスアクセスタイムの遅延をなくし、デバイスを高速化する。【構成】センスアンプSA1〜SA4に、ビット線対BL1〜BL4、および同/BL1〜/BL4がそれぞれ接続されている。そのビット線対BL1〜BL4,/BL1〜/BL4は、コラムデコード信号Y1〜Y4がゲートに接続されたNチャネル型MOSトランジスタQ111〜Q118と、制御信号DS1がゲートに接続されたNチャネル型MOSトランジスタQ121〜Q128とを介してデータ線DL1,/DL1に接続されている。

Claim (excerpt)：

センスアンプと、前記センスアンプを介して接続されたビット線対と、2組のデータ線対と、前記2組のデータ線対のうち第1組目のデータ線対と前記ビット線対を電気的に接続する第1のMOSトランジスタ対と、前記2組のデータ線対のうち第2組目のデータ線対と前記ビット線対を電気的に接続する第2のMOSトランジスタ対とを有することを特徴とする半導体メモリ装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開昭59-116988
特開平1-128292
特開昭59-154688

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