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J-GLOBAL ID：200903017824487940

寸法計測方法及びその装置

Inventor： 大▲崎▼ 真由香 ,  川田 洋揮 ,  中垣 亮 ,  宍戸 千絵
Applicant, Patent owner： 株式会社日立ハイテクノロジーズ
Agent (2)： 作田 康夫 ,  井上 学
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004274337
Publication number (International publication number)：2006093251
Application date： Sep. 22, 2004
Publication date： Apr. 06, 2006
Summary：

【課題】 寸法計測法方及びその装置において、パターンの走査型電子顕微鏡画像から得られる画像プロファイルを用いて,パターンの断面形状上の所望の位置におけるパターン寸法を計測できるようにする。【解決手段】 走査型電子顕微鏡で撮像して得た試料の二次電子画像を用いて試料上に形成されたパターンの寸法を計測する方法において、走査型電子顕微鏡を用いて試料の二次電子画像を取得し、この取得した二次電子画像の中で寸法を計測するパターンの画像プロファイルを二次電子画像を用いて作成し、予め記憶しておいた断面の形状と寸法とが既知で形状が異なる複数のパターンのそれぞれの二次電子画像から得られた複数のパターンのそれぞれに対応する複数のモデルプロファイルの中から作成した画像プロファイルと最も一致するモデルプロファイルを検索し、この検索して得たモデルプロファイルの情報を用いてパターンの寸法を求めるようにした。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

走査型電子顕微鏡で撮像して得た試料の二次電子画像を用いて前記試料上に形成されたパターンの寸法を計測する方法であって、 走査型電子顕微鏡を用いて試料を撮像して該試料の二次電子画像を取得し、 該取得した二次電子画像の中で寸法を計測するパターンの画像プロファイルを前記二次電子画像を用いて作成し、 予め記憶しておいた断面の形状と寸法とが既知で形状が異なる複数のパターンのそれぞれの二次電子画像から得られた前記複数のパターンのそれぞれに対応する複数のモデルプロファイルの中から前記作成した画像プロファイルと最も一致するモデルプロファイルを検索し、 該検索して得たモデルプロファイルの情報を用いて前記パターンの寸法を求めることを特徴とする寸法計測方法。

IPC (3)：

H01L 21/66 ,  G06T 1/00 ,  H01J 37/22

FI (3)：

H01L21/66 P ,  G06T1/00 305A ,  H01J37/22 502H

F-Term (16)：

4M106BA02 ,  4M106CA38 ,  4M106CA51 ,  4M106DB05 ,  4M106DJ11 ,  4M106DJ18 ,  4M106DJ21 ,  4M106DJ23 ,  5B057AA03 ,  5B057BA02 ,  5B057DA01 ,  5B057DB02 ,  5B057DB09 ,  5B057DC03 ,  5B057DC09 ,  5B057DC33

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 走査電子顕微鏡
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-056609   Applicant：株式会社日立製作所

Cited by examiner (1)

• 半導体パターン評価システム及びパターン形成プロセス制御方法並びにプロセス監視方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-033522   Applicant：株式会社日立ハイテクノロジーズ