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J-GLOBAL ID:200903017843581876

OPCマスクの製作方法およびOPCマスクならびにチップ

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 野田 茂
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001115632
Publication number (International publication number):2002311562
Application date: Apr. 13, 2001
Publication date: Oct. 23, 2002
Summary:
【要約】【課題】 スペース依存性の影響を忠実に反映したシュミレーションを行なうことにより、実際にウェハ上に形成されるパターンの線幅のばらつきを抑制することができるOPCマスクの製作方法およびOPCマスクならびにチップを提供する。【解決手段】 テスト用マスクの新規テストパターンの実測データは、各ゲートパターンの線幅について測定される。この実測データと新規テストパターンの設計データに基づいてシミュレーション計算がなされ、光近接効果によって形状が変形された新規テストパターンのシミュレーションデータが出力される。シミュレーション精度が合格するとカーネルが生成される。このカーネルによりシミュレーションが行なわれる。
Claim (excerpt):
所定の最小寸法値で定義されるデザインルールで設計されマスクに形成されるマスクパターンの形状と、該マスクパターンによりウェハに転写されるパターンの形状との差異を光近接効果を考慮したシミュレーション計算によって求めるシミュレーションステップと、前記シミュレーションステップの結果に基づいて前記ウェハに転写されるパターンの形状が所望の設計データに基づいた形状となるように前記マスクパターンの形状の設計データを補正する補正ステップとを含み、前記シミュレーションステップは、前記マスクパターンの転写のプロセスを表現するシミュレーションモデル、すなわちカーネルによって実行されるOPCマスクの製作方法において、前記カーネルは、テスト用のマスクパターンの形状の設計データと、前記テスト用のマスクパターンが転写されエッチングされることで実際に形成されたテスト用のウェハのパターンの形状の実測データとに基づいて生成され、前記テストパターンは、ほぼ前記所定の最小寸法の線幅を有し直線状に延在する帯状の複数個のゲートパターンが線幅方向に同じ間隔をおいて互いに平行をなして並べられることで構成された第1パターングループを複数含み、前記複数の第1パターングループのそれぞれの間では、前記ゲートパターンの間隔が互いに異なる寸法となるように構成されていることを特徴とするOPCマスクの製作方法。
IPC (4):
G03F 1/08 ,  G06F 17/50 658 ,  H01L 21/00 ,  H01L 21/027
FI (5):
G03F 1/08 A ,  G03F 1/08 D ,  G06F 17/50 658 M ,  H01L 21/00 ,  H01L 21/30 502 P
F-Term (6):
2H095BB01 ,  2H095BB02 ,  5B046AA08 ,  5B046BA06 ,  5B046GA06 ,  5B046JA04
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)

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