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J-GLOBAL ID:200903017867273692
GaN系半導体装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999215362
Publication number (International publication number):2001044139
Application date: Jul. 29, 1999
Publication date: Feb. 16, 2001
Summary:
【要約】【課題】GaN系半導体装置の電極部分における接触抵抗の低減を目的とする。【解決手段】GaN系半導体エピタキシャル層と電極金属の間に、中空クラスター構造を有するカーボン結晶層を介在させる。
Claim (excerpt):
基板上にGaN系半導体エピタキシャル層を有し、該GaN系半導体エピタキシャル層上に電極を有するGaN系半導体装置であって、該GaN系半導体エピタキシャル層と該電極間にカーボン結晶層を有することを特徴とするGaN系半導体装置。
IPC (4):
H01L 21/283
, H01L 21/338
, H01L 29/812
, H01L 33/00
FI (3):
H01L 21/283 C
, H01L 33/00 C
, H01L 29/80 F
F-Term (25):
4M104AA04
, 4M104BB06
, 4M104BB36
, 4M104CC01
, 4M104DD35
, 4M104FF13
, 5F041AA21
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA65
, 5F041CA77
, 5F041CA83
, 5F041CA92
, 5F041CA98
, 5F102FA03
, 5F102GB01
, 5F102GC01
, 5F102GD01
, 5F102GJ04
, 5F102GK04
, 5F102GL04
, 5F102GS02
, 5F102GT01
, 5F102GV00
, 5F102HC11
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
-
ショットキバリアダイオードの製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-252003
Applicant:松下電子工業株式会社
Article cited by the Patent:
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