半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：渡辺勝 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998282863
Publication number (International publication number)：2000114368
Application date： Oct. 05, 1998
Publication date： Apr. 21, 2000
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】層間接続孔や埋め込み配線形成用の溝の内部に付着した銅系金属汚染物を充分に除去し、これにより、多層配線構造における電流リークや素子の動作不良の問題を解決すること。【解決手段】多層配線構造を有する半導体装置の製造方法において、層間接続孔を設けた後、銅系金属汚染物に対し錯体形成能力を有する錯化剤を含有する洗浄液を用いて層間接続孔内部を洗浄する。

Claim (excerpt)：

(A)半導体基板上に銅または銅合金を含む金属材料からなる金属配線を形成する工程と、(B)該金属配線の上に層間絶縁膜を形成する工程と、(C)該層間絶縁膜の所定箇所に、前記金属配線に達する接続孔をドライエッチングにより形成する工程と、(D)前記ドライエッチングを行うことにより前記接続孔の内壁に付着した前記金属材料および/または前記金属材料の化合物からなる汚染物を、該汚染物に対し錯体形成能力を有する錯化剤を含有する洗浄液を用いて除去する工程と、(E)前記接続孔の内壁にバリアメタル膜を形成した後、その上に該接続孔を埋め込むように全面に導電膜を形成する工程と、(F)前記接続孔の外部に形成された前記導電膜及び前記バリアメタル膜を、エッチングまたは化学的機械的研磨により除去して表面を平坦化する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/768 , H01L 21/28 301 , H01L 21/3065 , H01L 21/3205

FI (4)：

H01L 21/90 B , H01L 21/28 301 R , H01L 21/302 N , H01L 21/88 M

F-Term (51)：

4M104AA01 , 4M104BB30 , 4M104CC01 , 4M104DD19 , 4M104DD20 , 4M104DD22 , 4M104EE15 , 4M104EE18 , 4M104FF16 , 5F004AA09 , 5F004AA11 , 5F004DA00 , 5F004DA16 , 5F004DA23 , 5F004DA26 , 5F004DB03 , 5F004DB08 , 5F004EA10 , 5F004EB01 , 5F004EB02 , 5F004EB03 , 5F033HH11 , 5F033HH12 , 5F033HH19 , 5F033HH33 , 5F033JJ11 , 5F033JJ12 , 5F033JJ19 , 5F033JJ33 , 5F033KK11 , 5F033KK12 , 5F033KK33 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP15 , 5F033QQ11 , 5F033QQ20 , 5F033QQ25 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ92 , 5F033RR05 , 5F033RR09 , 5F033RR25 , 5F033SS22 , 5F033TT02 , 5F033TT04 , 5F033XX21

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

多層配線構造及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-341259 Applicant：日本電気株式会社, ルーセントテクノロジーズインク
洗浄処理剤
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-152834 Applicant：和光純薬工業株式会社

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