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J-GLOBAL ID:200903017887702212

ダイヤモンド紫外線センサー素子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2005329253
Publication number (International publication number):2007139424
Application date: Nov. 14, 2005
Publication date: Jun. 07, 2007
Summary:
【課題】従来の光伝導型センサー素子は、極微弱光に対する光誘起電流量の変化は極めて小さいものであった。【解決手段】受光部材料の光誘起電流の変化によって、受光部に照射される光を検出する光伝導型センサー素子であって、主たるキャリアが正孔である表面伝導層を持つ高温高圧合成法によって作製された実質的に窒素原子を含むダイヤモンド単結晶を受光部に持つダイヤモンド紫外線センサー。本発明の紫外線センサーは、ダイヤモンド半導体の水素化表面の特殊性と表面近傍のダイヤモンド内にある窒素、ボロン、又はボロン-窒素複合体の不純物準位を介した光励起生成キャリアの電気伝導に基づくセンシング機構を持っている。【選択図】図1
Claim (excerpt):
受光部材料の光誘起電流の変化によって、受光部に照射される光を検出する2端子電極を 持つ光伝導型センサー素子であって、 主たるキャリアが正孔である表面伝導層を持つ高温高圧合成法によって作製された窒素原 子を含むダイヤモンド単結晶を受光部に持つダイヤモンド紫外線センサー素子。
IPC (2):
G01J 1/02 ,  H01L 31/09
FI (2):
G01J1/02 G ,  H01L31/00 A
F-Term (10):
2G065AA04 ,  2G065AB05 ,  2G065BA02 ,  5F088AA11 ,  5F088AB02 ,  5F088BB06 ,  5F088DA05 ,  5F088DA17 ,  5F088FA05 ,  5F088LA05
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (3) Cited by examiner (1)

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