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J-GLOBAL ID：200903017932155449

磁気メモリ素子

Inventor： 池田 貴司
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 渡辺 勝 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998349020
Publication number (International publication number)：2000173262
Application date： Dec. 08, 1998
Publication date： Jun. 23, 2000
Summary：

【要約】【課題】 第1の強磁性層の保磁力を容易に調整可能で磁気メモリ素子のサイズを小さくしても反磁界による保磁力の減少を相殺でき、記録密度が高く、膜厚を薄くでき、高い磁気抵抗変化率を有する磁気メモリを提供する。【解決手段】 少なくとも反強磁性層2、第1の強磁性層3と、非磁性金属層4、第2の強磁性層5が順に積層され、該第1の強磁性層3の磁化方向を「1」および「0」に対応させ情報の記録を行う磁気メモリ素子であり、該反強磁性層2の一方向異方性の向きが、該第1の強磁性層の磁化方向と平行であることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

少なくとも 反強磁性層、第1の強磁性層、非磁性金属層、第2の強磁性層 が順に積層され、該第1の強磁性層と反強磁性層が交換結合しており、記録 磁界を印加することによって、該第1の強磁性層の磁化方向を『1』および『0』に対応させ情報の記録を行う磁気メモリ素子であり、該反強磁性層の一方向異方性の向きが、該第1の強磁性層の磁化方向と平行であることを特徴とする磁気メモリ素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 情報の記録・再生方法および情報記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-294003   Applicant：沖電気工業株式会社