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J-GLOBAL ID：200903045474921491

情報の記録・再生方法および情報記憶装置

Inventor： 山根 治起 ,  前野 仁典 ,  小林 政信
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 大垣 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995294003
Publication number (International publication number)：1997139068
Application date： Nov. 13, 1995
Publication date： May. 27, 1997
Summary：

【要約】【課題】 強磁性体層23a,23c を含み磁界の印加条件により両層の磁化方向が同じかまたは逆となり該磁化方向に応じて第1または第2の抵抗値を示し、然も、磁気抵抗曲線がヒステリシス特性を示す情報記録部23と、電流が供給されそれにより前記磁界を形成する電極27と、を具えた磁気メモリ素子20での情報記録・再生を、従来に比べ低消費電力かつ高速で行なえる方法の提供。【解決手段】 情報記録は、記憶させたい情報状態に応じ、情報記録部の抵抗値を前記第1の抵抗値に固定する磁界を形成し得る電流値あるいは前記第2の抵抗値に固定する磁界を形成し得る電流値のいずれかを、前記電極に供給することにより行う。情報再生は、前記固定される抵抗値を検出することにより行なう。

Claim (excerpt)：

第1および第2の強磁性体層を含み、磁界の印加条件によって前記第1および第2の強磁性体層の磁化方向が同じかまたは逆となり、該磁化方向に応じて第1の抵抗値または第2の抵抗値を示し、然も、磁気抵抗曲線がヒステリシス特性を示す情報記録部と、電流が供給されそれにより前記磁界を形成する電極と、を具えた磁気メモリ素子への情報記録および該素子からの情報再生を行なうに当たり、情報記録は、記憶させたい情報状態に応じ、情報記録部の抵抗値を前記第1の抵抗値に固定する磁界を形成し得る電流あるいは前記第2の抵抗値に固定する磁界を形成し得る電流のいずれかを、前記電極に供給することにより行い、情報再生は、前記固定される抵抗値を検出することにより行なうことを特徴とする情報の記録・再生方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 磁気抵抗記憶素子、アレイおよび装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-022669   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 特開平2-143980