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J-GLOBAL ID:200903017957643553
液晶表示装置
Inventor:
,
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
鈴江 武彦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995056087
Publication number (International publication number):1996255915
Application date: Mar. 15, 1995
Publication date: Oct. 01, 1996
Summary:
【要約】【目的】コントラスト比を招かないコプラナ型TFTをスイッチング素子として用いた液晶表示装置を提供すること。【構成】チャネル幅方向側の活性層2の側面と透光性絶縁基板1とのなす角度θを45度以下にすることにより、良質なゲート絶縁膜3を形成でき、コントラスト比の低下の原因となるゲートリーク電流を抑制できる。
Claim (excerpt):
マトリクス配列された画素電極と、これら画素電極の電位により液晶の配向が制御される液晶層と、前記画素電極にソースが接続されたスイッチング素子としての薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタのゲートに接続されたゲート線と、前記薄膜トランジスタのドレインに接続されたデータ線とを具備してなり、前記薄膜トランジスタは、表面が絶縁性の基板上に形成された半導体材料の活性層上にCVD法により成膜されたゲート絶縁膜を介してゲート電極が配設されてなり、かつ前記表面が絶縁性の基板とチャネル幅方向側の前記活性層の側面とのなす角度が45度以下であることを特徴とする液晶表示装置。
IPC (4):
H01L 29/786
, H01L 21/336
, G02F 1/136 500
, H01L 21/316
FI (5):
H01L 29/78 617 V
, G02F 1/136 500
, H01L 21/316 X
, H01L 29/78 616 T
, H01L 29/78 617 S
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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薄膜半導体装置およびその作製方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-014889
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
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特開平4-116846
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特開平4-116846
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薄膜トランジスタおよびその作製方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-340338
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
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特開平4-116846
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特開平4-116846
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