半導体装置製造用ウェーハ

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：志波邦男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997035509
Publication number (International publication number)：1998223870
Application date： Feb. 04, 1997
Publication date： Aug. 21, 1998
Summary：

【要約】【課題】発熱の問題や信号伝播速度の遅れを解決し、高速化と高集積化を同時に図ることができる半導体装置製造用ウェーハを提供する。【解決手段】半導体シリコンより熱伝導率が大きな高電気抵抗率基板10に、シリコンウェーハ11を貼り合わせた半導体装置製造用ウェーハ。

Claim (excerpt)：

半導体シリコンより熱伝導率が大きな高電気抵抗率基板上に半導体シリコン層が形成された半導体装置製造用ウェーハ。

IPC (2)：

H01L 27/12 , H01L 21/02

FI (2)：

H01L 27/12 B , H01L 21/02 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体集積回路およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-161626 Applicant：株式会社日立製作所
特開平1-115143
特開平1-228154

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