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J-GLOBAL ID：200903018128620690

半導体装置

Inventor： 甲斐 肇
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 松村 博
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995091907
Publication number (International publication number)：1996264712
Application date： Mar. 27, 1995
Publication date： Oct. 11, 1996
Summary：

【要約】【目的】 半導体チップを多層化することにより、実装効率の高い集積回路を実現する。【構成】 複数の半導体チップ1,2,3を高さ方向に所定間隔をもって積み重ね、各半導体チップに設けられたスルーホール1A,2B,3Cを通して、導電材4により電気的に接続する。

Claim (excerpt)：

複数のスルーホールを有する複数の半導体チップを、前記スルーホールを通した導電材により、高さ方向に所定の間隔をもって積層し、前記半導体チップを電気的に接続したことを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-076946
  
• 特開昭58-043554
  
• 半導体集積回路およびその形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-078431   Applicant：日本電気株式会社