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J-GLOBAL ID：200903018156743706

表示用半導体チップの製造方法

Inventor： 猪野 益充 ,  林 久雄 ,  国井 正文 ,  浦園 丈展 ,  西原 静夫 ,  峰岸 昌弘
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 鈴木 晴敏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994257616
Publication number (International publication number)：1996023105
Application date： Sep. 27, 1994
Publication date： Jan. 23, 1996
Summary：

【要約】【目的】 表示用半導体チップの製造に採用されるレーザ照射処理の効率化を図る。【構成】 表示用半導体チップ7の製造方法では、先ず成膜工程を行ない絶縁基板1上に半導体薄膜2を形成する。次に半導体薄膜2の加熱処理を含む一連の処理を行ない1チップ分の面積区画3に薄膜トランジスタを集積形成する。さらに面積区画3内に一画面分の画素電極を形成する。一連の処理においてレーザ照射工程を行ない、面積区画3に対してレーザパルス8をワンショットで照射し1チップ分の半導体薄膜2の一括加熱処理を行なう。この一括加熱処理により半導体薄膜2の結晶化が促進される。あるいは、半導体薄膜2に不純物を注入した後の一括加熱処理より、不純物の活性化を図る。

Claim (excerpt)：

絶縁基板上に半導体薄膜を形成する成膜工程と、該半導体薄膜の加熱処理を含む一連の処理を行ない1チップ分の面積区画に薄膜トランジスタを集積形成する処理工程と、該面積区画内に一画面分の画素電極を形成する工程とを含む表示用半導体チップの製造方法であって、前記処理工程は、該面積区画に対してレーザパルスをワンショットで照射し1チップ分の半導体薄膜の一括加熱処理を行なうレーザ照射工程を含む事を特徴とする表示用半導体チップの製造方法。

IPC (6)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 27/12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• アクティブマトリクス基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-044094   Applicant：セイコーエプソン株式会社