ガリウム・インジウム・リン系高電子移動度トランジスタ

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：平田忠雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996052070
Publication number (International publication number)：1997246530
Application date： Mar. 08, 1996
Publication date： Sep. 19, 1997
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】チャネル層を構成するインジウム・ガリウム・砒素のインジウム・砒素組成比を高め、トランジスタ特性を向上させたガリウム・インジウム・リン系高電子移動度トランジスタの提供。【解決手段】キャリア供給層5とスペーサ層4とを格子定数がガリウム・砒素よりも小さなガリウム・インジウム・リンによって構成する。そしてこれにより内部に引張応力を発生させるとともにこの引張応力による歪みエネルギーを、チャネル層3のインジウム・ガリウム・砒素中の圧縮応力に基づく歪みエネルギーよりも大きくなるように膜厚設定することによってチャネル層3の膜厚増を可能にし、これによりチャネル層3を構成するインジウム・ガリウム・砒素のインジウム・砒素組成比を増やし、トランジスタ特性の向上をはかる。

Claim (excerpt)：

ガリウム・砒素を基板とし、n型ガリウム・インジウム・リンをキャリア供給層とし、アンドープガリウム・インジウム・リンをスペーサ層とし、そしてインジウム・ガリウム・砒素をチャネル層とする高電子移動度トランジスタにおいて、前記キャリア供給層と前記スペーサ層を構成するガリウム・インジウム・リンの格子定数をガリウム・砒素よりも小さくすることによって内部に引張応力を生じさせ、さらにこの引張応力による歪みエネルギーが、前記チャネル層を構成するインジウム・ガリウム・砒素中の圧縮応力に基づく歪みエネルギーよりも大きくなるように膜厚を設定したことを特徴とするガリウム・インジウム・リン系高電子移動度トランジスタ。

IPC (4)：

H01L 29/778 , H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 21/205

FI (2)：

H01L 29/80 H , H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

ヘテロ接合半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-030473 Applicant：松下電器産業株式会社
特開平4-298050
特開平2-205326

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