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J-GLOBAL ID：200903018224762617

ガス系の制御方法及びその装置

Inventor： 小美野 光明 ,  内澤 修 ,  千葉 康広
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社 ,  株式会社本山製作所
Agent (1)： 中本 菊彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003196469
Publication number (International publication number)：2004062897
Application date： Jul. 14, 2003
Publication date： Feb. 26, 2004
Summary：

【課題】使用するガスの流れの有無による流量負荷等の各状態に応じてガスの圧力等を制御すること。【解決手段】処理室71内にガスを供給する供給管路72a〜72cに介設されてガスの流量負荷を検知するマスフローコントローラ78a〜78cと、処理室に接続される排気管路73に介設されて処理室内の圧力を調整するコントロールバルブ80と、プラズマ生成手段によって処理室に生成されるプラズマのプラズマ生成有無を検知するモノクロメータ83と、ガスの流れの有無と、プラズマ生成有無とに応じた制御定数を予め記憶するCPU40Aとを設ける。マスフローコントローラによってガスの流量負荷を検知すると共に、モノクロメータによって処理室に生成されるプラズマのプラズマ生成有無を検知し、これら検知信号をCPUに伝達すると共に、CPUからの制御信号に基づいて処理室が所定圧力になるようにコントロールバルブを制御する。【選択図】 図9

Claim (excerpt)：

所定のガスの流れの有無による流量負荷に応じた制御定数と、プラズマ生成手段によって処理室に生成されるプラズマのプラズマ生成の有無に応じた制御定数とを予め記憶しておき、 上記ガスの上記流量負荷の検知信号に基づき、上記制御定数を選択して上記処理室の圧力を調整する圧力調整手段を制御し、 上記ガスの上記流量負荷の検知信号と、上記プラズマ生成有無の検知信号とに基づき、上記制御定数を選択して上記処理室の圧力を調整することを特徴とするガス系の制御方法。

IPC (3)：

G05D16/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

FI (3)：

G05D16/20 N ,  H01L21/205 ,  H01L21/302 101G

F-Term (15)：

5F004CA02 ,  5F004CA08 ,  5F045AA08 ,  5F045BB01 ,  5F045EE17 ,  5F045GB06 ,  5H316AA20 ,  5H316BB01 ,  5H316CC02 ,  5H316EE02 ,  5H316EE32 ,  5H316FF23 ,  5H316HH12 ,  5H316KK02 ,  5H316KK04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特許第2666768号
  
• プロセスの制御方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-098273   Applicant：東京瓦斯株式会社, 山武ハネウエル株式会社