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J-GLOBAL ID:200903018226690540

光導波路プラットフォームとその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 鈴木 章夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998167213
Publication number (International publication number):2000002817
Application date: Jun. 15, 1998
Publication date: Jan. 07, 2000
Summary:
【要約】 (修正有)【課題】 半導体基板上に光導波路が形成され、かつ光素子が搭載されて電極配線により電気接続される構成の光導波路プラットフォームにおける、電気信号の高周波特性を改善する一方で、設計自由度を高め、かつ製造の簡易化を可能とする。【解決手段】 Si基板1上に石英系材料でコア42及びクラッド41,43よりなる光導波路4が形成され、光導波路の光導波端に臨むSi基板1上にレーザダイオード等の光素子8が搭載され、この光素子8に対して電気接続を行う電極配線が形成される。電極配線は、光導波路4の下側に形成された下側電極配線3と、光導波路4の上側に形成された上側電極配線5と、光導波路4に設けられて前記下側と上側の各電極配線3,5を厚さ方向に導通する導電コンタクト6とで構成される。
Claim (excerpt):
半導体基板上に光学材料でコア及びクラッドよりなる光導波路が形成され、かつ前記光導波路の光導波端に臨む前記半導体基板上に光素子が搭載され、かつ前記光素子に対して電気接続を行う電極配線が前記半導体基板上に形成されている光導波路プラットフォームにおいて、前記電極配線の一部が前記光導波路の下側に形成され、前記電極配線の他の一部は前記光導波路の上側に形成され、かつ前記下側と上側の各電極配線は前記光導波路を厚さ方向に貫通する導電コンタクトにより相互に電気接続されることを特徴とする光導波路プラットフォーム。
IPC (2):
G02B 6/122 ,  G02B 6/13
FI (2):
G02B 6/12 B ,  G02B 6/12 M
F-Term (2):
2H047AA03 ,  2H047CC07
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
  • 光素子固定方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平7-205493   Applicant:日本電信電話株式会社
  • 特開昭61-079290

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