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J-GLOBAL ID：200903018231177053

損失結合を有するDFBレーザを含む製品

Inventor： ディヴィッド アラン アッカーマン ,  レオナード ジャン-ピーター ケテルセン
Applicant, Patent owner： エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
Agent (1)： 岡部 正夫 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996027184
Publication number (International publication number)：1996242035
Application date： Feb. 15, 1996
Publication date： Sep. 17, 1996
Summary：

【要約】【課題】 本発明は、損失結合を有するDFBレーザを含む製品を提供する。【解決手段】 改善された損失回折格子を有するDFBレーザが、明らかにされている。回折格子はレーザ放射に対し、比較的低損失となるよう選択された組成の半導体材料(111)中に、埋め込まれている。第1の層の組成はレーザ放射に対し、比較的高い屈折率と損失を与えるよう選択され、第2の層の組成はレーザ放射に対し、比較的低い屈折率と損失を与えるよう選択される。第1及び第2の層の厚さは、結合定数の実部|k’|が結合定数の虚数部|k''|より小さくなるよう選択される。好ましい実施例においては、|k’|≦0.5|k''|あるいは≦0.2|k''|ですらある。

Claim (excerpt)：

半導体層構造及び波長λの放射を放出するよう層構造に電流を流すための接触を含み、層構造は本質的に均一な厚さとレーザ長に渡って延びる活性層(42)を含み、更に前記活性層から離れ、周期的変化を含む回折格子領域(111)を含み、レーザには複素結合定数k=k’+ik''が付随する半導体レーザを含む製品において、前記回折格子領域は順に、i) 波長λの放射に対して、比較的高い屈折率と損失を有するよう選択された組成の第1の周期的にパターン形成された半導体層(12);ii) 波長λの放射に対して、比較的低い屈折率と損失を有するよう選択された組成の第2の周期的にパターン形成された半導体層(13);を含み、iii) 前記第1及び第2の周期的にパターン形成された層は、波長λの放射に対して、比較的低い損失を与えるよう選択された組成Q<SB>1</SB> の半導体材料(110)中に埋め込まれ、iv) 前記第1及び第2の層は|k’|<|k''|であるように選択されることを特徴とする製品。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体分布帰還型レーザ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-291591   Applicant：光計測技術開発株式会社
• 分布帰還レーザ含有製品
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-352429   Applicant：アメリカンテレフォンアンドテレグラフカムパニー