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J-GLOBAL ID：200903018237474602

フラッシュメモリを用いた記憶装置およびその記憶制御方法

Inventor：
阿知和 恭介

About 阿知和 恭介

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山本 彰

About 山本 彰

, 
山形 博健

About 山形 博健


Applicant, Patent owner：
株式会社日立製作所

About 株式会社日立製作所


Agent (1)： 富田 和子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994147943
Publication number (International publication number)：1996016482
Application date： Jun. 29, 1994
Publication date： Jan. 19, 1996
Summary：
【要約】【目的】セクタ単位で消去可能なフラッシュメモリを用いた記憶装置において、特定セクタにライトが集中しないようにし、装置寿命を延ばす。【構成】ホストコンピュータ1010から見える論理ブロック1100と実際の物理ブロック1110の間でマッピングを行ない、論理ブロック1100のライト回数を管理情報として持つ。ライト回数が多く、今後ライトされる可能性が高いと思われる論理ブロック1100に、消去回数が多い物理ブロック1110が割り当てられていたときには、ライト回数の少ない論理ブロック1100に割り当てられている消去回数の少ない物理ブロック1110を探し、ライト回数が多い論理ブロック1100には消去回数が少ない物理ブロック1110を割り当て、ライト回数が少ない論理ブロック1100には消去回数が多い物理ブロック1110を割り当てるようにマッピングを変更する。
Claim (excerpt)：
上位装置から見たアクセス単位である論理ブロックを、フラッシュメモリの物理ブロックに割り当てる、フラッシュメモリを用いた記憶装置の制御方法であって、論理ブロックへのライト処理の度に、各論理ブロック単位にそのライト回数(またはライト頻度)を計数管理し、物理ブロックの消去処理の度に、各物理ブロック単位にその消去回数を計数管理し、複数の論理ブロックを各々のライト回数(または頻度)により複数の論理ブロックグループに分類し、複数の物理ブロックを各々の消去回数により複数の物理ブロックグループに分類し、ライト回数の多い論理ブロックグループに属する論理ブロックへのライト処理に伴い当該論理ブロックを物理ブロックへ割り当てる際に、当該論理ブロックを消去回数の少ない物理ブロックグループに属する物理ブロックに割り当てることを特徴とするフラッシュメモリを用いた記憶装置の制御方法。
IPC (2)：
G06F 12/16 310 ,  G11C 16/06
FI (2)：
G11C 17/00 309 F ,  G11C 17/00 530 B
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (1)
  • 記憶装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-100211   Applicant：アルプス電気株式会社

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