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J-GLOBAL ID：200903092495098572

半導体記憶装置

Inventor： 樋口 光雄
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 石川 泰男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992007420
Publication number (International publication number)：1993198198
Application date： Jan. 20, 1992
Publication date： Aug. 06, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明は半導体記憶装置に係り、特に信頼性の向上したブロック消去型のフラッシュEEPROMに関し、ブロック毎の書き替え頻度に偏りがあるプログラムを使用する場合にも、素子としての寿命の低下をもたらすことの少ない半導体記憶装置を提供することを目的とする。【構成】 メモリセルアレイ10を複数のブロック11〜1nに分割し、各ブロック毎にセルデータの消去及び再書き込みが可能な半導体記憶装置であって、当該半導体装置の外部アドレスと各ブロックとの対応を変更するアドレス変更手段1を有して構成し、またアドレス変更手段1は、ブロック対応テーブル31と、書き込み指示手段33と、除外指示手段32と、制御手段34とを有して構成し、メモリセルアレイ10の有するブロック数は、外部アドレスでアクセス可能なブロック数以上である。

Claim (excerpt)：

メモリセルアレイ(10)を複数のブロック(11〜1n)に分割し、各ブロック毎にセルデータの消去及び再書き込みが可能な半導体記憶装置であって、当該半導体装置の外部アドレスと前記各ブロックとの対応を変更するアドレス変更手段(1)を有し、前記メモリセルアレイ(10)の有するブロック数は、外部アドレスでアクセス可能なブロック数以上であることを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (3)：

G11C 29/00 301 ,  G06F 12/16 310 ,  G11C 16/06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-232934   Applicant：株式会社日立製作所