正弦波発振回路

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：布施行夫 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994145560
Publication number (International publication number)：1995336137
Application date： Jun. 03, 1994
Publication date： Dec. 22, 1995
Summary：

【要約】【目的】より少ない種類の部品を組み合わせて簡単に正弦波を発生でき、しかも半導体基板上に一体形成が可能な正弦波発振回路を提供すること。【構成】正弦波発振回路1は、反転増幅器として機能するインバータ論理回路10と、半導体基板上に形成されたLC素子12とを含んでいる。LC素子12は、半導体基板上であってほぼ同心状にほぼ平行に形成された渦巻き形状の第1および第2のスパイラル電極と、これらの電極のそれぞれにp領域とn領域とが接続された渦巻き形状のpn接合層を含んでいる。各電極がインダクタ導体として機能するとともに電磁結合されてトランスの捲線の機能を有し、各インダクタ導体間にはpn接合層による分布定数的なキャパシタが形成されている。このように、正弦波発振回路1の各構成部品は半導体基板上に形成可能であり、全体を一体形成することができる。

Claim (excerpt)：

入力信号を増幅するとともに位相反転を行う反転増幅器と、半導体基板上にほぼ並行に形成されて一次および二次捲線としての機能を有する2本のインダクタ導体を有し、これら2本のインダクタ導体による2本のインダクタとそれらの間のキャパシタとが分布定数的に形成されているLC素子と、を備え、前記反転増幅器の出力側を前記LC素子の一次側に接続するとともに、前記LC素子の二次側を一次側と逆相となるように前記反転増幅器の入力側に接続することを特徴とする正弦波発振回路。

IPC (4)：

H03B 5/08 , H01F 27/00 , H01G 4/40 , H03B 5/18

FI (2)：

H01F 15/00 D , H01G 4/40 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

正弦波発振回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-138252 Applicant：池田毅

Return to Previous Page