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J-GLOBAL ID:200903018263709359
不揮発性メモリの制御方法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
東島 隆治
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001197388
Publication number (International publication number):2003015929
Application date: Jun. 28, 2001
Publication date: Jan. 17, 2003
Summary:
【要約】【課題】 ブロックを上書きしている途中に、記憶装置の電源遮断やリセット命令等で強制的な中断が発生した場合でも、消去したはずのデータが消去されていなかったり、書き込みしたはずのデータが消失したりすることがない不揮発性メモリの制御方法を提供する。【解決手段】 ブロックの最終ページにデータを書き込む際、そのブロックの最終ページの冗長領域に設けたブロックデータ有効化フラグを0(有効)にすることにより、そのブロックを有効化する。さらに、新旧判定用のカウンタを設けることにより前記解決手段において対処できない場合でもデータを保護することができる。
Claim (excerpt):
複数のブロックを有し、前記ブロックは複数のページを有し、前記ページはデータを書き込むデータ領域と冗長領域とを有し、前記ブロックの最初の前記ページの前記冗長領域は、そのブロックに書き込まれた前記データが無効か否かを示し且つ不揮発性メモリが消去された状態において前記データが無効でないことを示すブロックデータ無効化フラグを有し、前記ブロックの最後の前記ページの前記冗長領域は、そのブロックに書き込まれた前記データが有効か否かを示し且つ不揮発性メモリが消去された状態において前記データが有効でないことを示すブロックデータ有効化フラグを有する、不揮発性メモリの制御方法であって、前記データ領域にデータを書き込むデータ書き込みステップと、前記データを書き込んだ前記データ領域を有する前記ブロックの前記ブロックデータ有効化フラグを、前記データが有効であることを示すようにする有効化ステップと、を有することを特徴とする不揮発性メモリの制御方法。
IPC (3):
G06F 12/00 542
, G06F 12/16 340
, G11C 16/02
FI (4):
G06F 12/00 542 M
, G06F 12/16 340 P
, G11C 17/00 601 P
, G11C 17/00 601 E
F-Term (11):
5B018GA04
, 5B018HA22
, 5B018NA06
, 5B018QA05
, 5B025AD04
, 5B025AD05
, 5B025AD08
, 5B025AE05
, 5B025AE08
, 5B082DB03
, 5B082JA06
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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フラッシュメモリを使用した外部記憶装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-080802
Applicant:株式会社日立製作所
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半導体フラッシュメモリ装置及びその制御方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-094063
Applicant:セイコーエプソン株式会社
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半導体ファイル装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-307307
Applicant:株式会社日立製作所
-
半導体ディスク装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-052815
Applicant:シャープ株式会社
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外部記憶装置、デ-タ処理装置及びデ-タ処理方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-346826
Applicant:ソニー株式会社
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