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J-GLOBAL ID：200903018292336634

ヘテロエピタキシャルダイヤモンド膜及びその形成方法

Inventor：
宮田 浩一

About 宮田 浩一


Applicant, Patent owner：
株式会社神戸製鋼所

About 株式会社神戸製鋼所


Agent (1)： 藤巻 正憲
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997162931
Publication number (International publication number)：1999012088
Application date： Jun. 19, 1997
Publication date： Jan. 19, 1999
Summary：
【要約】【課題】 過酷な環境下においても動作する電子デバイスの材料として使用される大面積で低コストのヘテロエピタキシャルダイヤモンド膜及びその形成方法を提供する。【解決手段】 先ず、表面に(001)面が現れたSi基板の表面にシリサイド膜(TiSi2膜、ZrSi2膜又はHfSi2膜)を形成する。このとき、シリサイドのa軸及びc軸がSi基板中の(001)面における[110]方向の正方形に整合するように、b軸が基板表面に対して垂直に配向されたシリサイド膜がSi基板上に成長する。次に、このシリサイド膜上にダイヤモンド膜を気相合成する。このとき、基板表面に平行なシリサイドのa軸及びc軸の長さは3.6乃至3.72Åの範囲に分布しており、ダイヤモンドの格子定数は3.56Åであるので、格子不整合を小さくすることができ、良好なヘテロエピタキシャルダイヤモンド膜を得ることができる。
Claim (excerpt)：
Ti、Zr及びHfからなる群から選択された1種の元素のケイ化物からなる基板上に形成されたことを特徴とするヘテロエピタキシャルダイヤモンド膜。
IPC (3)：
C30B 29/04 ,  C01B 31/06 ,  H01L 21/205
FI (3)：
C30B 29/04 P ,  C01B 31/06 ,  H01L 21/205
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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