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J-GLOBAL ID：200903018324415388

単層カーボンナノチューブの製造方法

Inventor： 坪井 利行 ,  小林 春洋 ,  縄巻 健司
Applicant, Patent owner： 双葉電子工業株式会社
Agent (1)： 有賀 正光
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998082409
Publication number (International publication number)：1999263609
Application date： Mar. 16, 1998
Publication date： Sep. 28, 1999
Summary：

【要約】【課題】 安定して単層カーボンナノチューブの生成が可能で、生成効率を向上させた製造方法を提供する。【解決手段】 真空容器11内をロータリーポンプ12で排気しながら、ガス供給口19よりヘリウムを導入し、希ガス雰囲気を作る。炭素に単一金属が添加された金属添加炭素電極13と、それとは異なる種類の単一金属が添加された金属添加炭素電極14との間に、放電電源装置17を用いて交流アーク放電を実現する。両電極から炭素と金属とが蒸発し、金属は合金化し、触媒として炭素に作用して、単層カーボンナノチューブを生成させる。

Claim (excerpt)：

ガス雰囲気中で、2つの炭素電極間にアーク放電を生じさせ、前記炭素電極を蒸発させることにより単層カーボンナノチューブを含む煤を発生させる単層カーボンナノチューブの製造方法において、前記2つの炭素電極として、一方または両方に合計2種類以上の金属を添加した金属添加炭素電極を用い、当該2つの炭素電極の間に交流電圧を印加して交流アーク放電を生じさせることを特徴とする単層カーボンナノチューブの製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• カーボンナノチューブの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-172242   Applicant：日本電気株式会社