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J-GLOBAL ID：200903018347379281

高周波増幅集積回路装置

Inventor： 天知 伸充 ,  山本 靖 ,  坂本 孝一 ,  土岡 充裕
Applicant, Patent owner： 株式会社村田製作所
Agent (1)： 青山 葆 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995278744
Publication number (International publication number)：1997121127
Application date： Oct. 26, 1995
Publication date： May. 06, 1997
Summary：

【要約】【課題】 従来例に比較して、利得のバラツキを小さくでき、かつ安価に製造することのできる高周波増幅集積回路装置を提供する。【解決手段】 半導体基板と、半導体基板上に形成され、複数の第1の電極と複数の第2の電極と少なくとも1つの第3の電極とを有し、複数の第1の電極のうちの1つがキャパシタを介して接地されたトランジスタとを備え、複数の第2の電極に入力される高周波信号をトランジスタにより増幅されて第3の電極から出力される高周波増幅集積回路装置において、複数の第1の電極のうちの2つの第1の電極をそれぞれキャパシタを介して接地し、上記2つのキャパシタの静電容量値を互いに異なる値に設定した。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、上記半導体基板上に形成され、複数の第1の電極と複数の第2の電極と少なくとも1つの第3の電極とを有し、上記複数の第1の電極のうちの1つがキャパシタを介して接地されたトランジスタとを備え、上記複数の第2の電極に入力される高周波信号を上記トランジスタにより増幅されて上記第3の電極から出力される高周波増幅集積回路装置において、上記複数の第1の電極のうちの少なくとも2つの第1の電極はそれぞれキャパシタを介して接地されたことを特徴とする高周波増幅集積回路装置。

IPC (4)：

H03F 3/195 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H03F 3/55

FI (3)：

H03F 3/195 ,  H03F 3/55 ,  H01L 27/04 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭55-086208
  
• 特開昭59-174006
  
• 高周波回路構造
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-086234   Applicant：株式会社ヨコオ