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J-GLOBAL ID：200903018367106095

光電変換素子および光電池

Inventor：
中村 善貞

About 中村 善貞


Applicant, Patent owner：
富士写真フイルム株式会社

About 富士写真フイルム株式会社


Agent (1)： 小栗 昌平 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000252660
Publication number (International publication number)：2002075471
Application date： Aug. 23, 2000
Publication date： Mar. 15, 2002
Summary：
【要約】【課題】光の照射とは関係ない逆電流を防止することにより、光電変換効率を高めた光電変換素子、特にはフレキシブルな基板を用いた光電変換素子、およびこのような光電変換素子を適用した光電池を提供すること。【解決手段】導電層、色素により増感した半導体を含む感光層、電荷輸送層、および対極を有し、感光層と導電層との間に、該感光層を構成する半導体より、その伝導帯下端電位がより卑なる半導体からなる層を有する光電変換素子および基板が高分子フィルムである光電変換素子を用いた光電池が提供される。
Claim (excerpt)：
導電層、色素により増感した半導体を含む感光層、電荷輸送層、および対極を有する光電変換素子において、感光層と導電層との間に、該感光層を構成する半導体より、その伝導帯下端電位がより卑なる半導体からなる層を有することを特徴とする光電変換素子。
IPC (2)：
H01M 14/00 ,  H01L 31/04
FI (2)：
H01M 14/00 P ,  H01L 31/04 Z
F-Term (12)：
5F051AA14 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032CC14 ,  5H032CC17 ,  5H032EE01 ,  5H032EE02 ,  5H032EE04 ,  5H032EE07 ,  5H032EE16 ,  5H032EE18 ,  5H032HH08
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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