GaN系半導体装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004135648
Publication number (International publication number)：2005317843
Application date： Apr. 30, 2004
Publication date： Nov. 10, 2005
Summary：

【課題】 GaN系半導体装置において、オン電圧が低く、逆方向の電圧時のリーク電流の少ないものを提供する。【解決手段】所定の幅Dを有するIII-V族窒化物半導体層3と、前記III-V族窒化物半導体層上に前記所定の幅よりも狭い幅でショットキー接合する第1アノード電極8と、前記第1アノード電極8に接触する部分以外の前記III-V族窒化物半導体層上にショットキー接合すると共に前記第1アノード電極8に電気的に接続する第2アノード電極9とを備え、前記第1アノード電極8と前記III-V族窒化物半導体層との間で形成されるショットキーバリアの高さが前記第2アノード電極9と前記III-V族窒化物半導体層との間で形成されるショットキーバリアの高さよりも低いGaN系半導体装置において、前記所定の幅を有するIII-V族窒化物半導体層には、互いにバンドギャップエネルギーの大きさが異なる一組の層からなるヘテロ構造6を含む。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

所定の幅を有するIII-V族窒化物半導体層と、前記III-V族窒化物半導体層上に前記所定の幅よりも狭い幅でショットキー接合する第1アノード電極と、前記第1アノード電極に接触する部分以外の前記III-V族窒化物半導体層上にショットキー接合すると共に前記第1アノード電極に電気的に接続する第2アノード電極とを備え、前記第1アノード電極と前記III-V族窒化物半導体層との間で形成されるショットキーバリアの高さが前記第2アノード電極と前記III-V族窒化物半導体層との間で形成されるショットキーバリアの高さよりも低いGaN系半導体装置において、前記所定の幅を有するIII-V族窒化物半導体層には、互いにバンドギャップエネルギーの大きさが異なる一組の層からなるヘテロ構造を含むことを特徴とするGaN系半導体装置。

IPC (2)：

H01L29/47 , H01L29/872

FI (2)：

H01L29/48 D , H01L29/48 F

F-Term (9)：

4M104AA04 , 4M104BB06 , 4M104BB14 , 4M104CC03 , 4M104FF13 , 4M104FF27 , 4M104FF31 , 4M104GG03 , 4M104HH20

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

GaN系半導体装置およびIII-V族窒化物半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-013740 Applicant：古河電気工業株式会社

Cited by examiner (9)

電力変換装置及びそれに用いるGaN系半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-247518 Applicant：古河電気工業株式会社
GaN系半導体装置およびIII-V族窒化物半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-013740 Applicant：古河電気工業株式会社
特開昭59-110173

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