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J-GLOBAL ID：200903056005892539

2次元電子ガスを用いた電子デバイス

Inventor：
早村 光雄

About 早村 光雄


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Agent (1)： 豊栖 康弘 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002257821
Publication number (International publication number)：2003151996
Application date： Sep. 03, 2002
Publication date： May. 23, 2003
Summary：
【要約】【課題】 InGaNチャネル層/InAlGaNワイドバンドギャップ層からなるヘテロ構造を有する高電子移動度トランジスタにおいて、2次元電子ガスの電子移動度をさらに向上させる。【解決手段】 InxGa1-xNチャネル層/InyAlzGa1-y-zNワイドバンドギャップ層からなるヘテロ構造を有する高電子移動度トランジスタにおいて、そのワイドバンドギャップ層のAl混晶比をヘテロ界面から離れるに従って小さくすることにより、チャネル層を流れる2次元電子ガスの電子移動度を高速化する。
Claim (excerpt)：
InxGa1-xN系化合物半導体層(0≦x≦1)からなるチャネル層およびInyAlzGa1-y-zN系化合物半導体層(0≦y、0≦z、y+z≦1)からなるワイドバンドギャップ層により構成されるヘテロ構造を含み、該InyAlzGa1-y-zN系ワイドバンドギャップ層において、該ヘテロ界面でのバンドギャップが該チャネル層のバンドギャップよりも広く、該ヘテロ界面から離れるに従って、Al混晶比zが連続的にまたは段階的に減少することを特徴とする2次元電子ガスを用いた電子デバイス。
IPC (3)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812
F-Term (16)：
5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL03 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM09 ,  5F102GM10 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102GS01 ,  5F102GT01 ,  5F102HC01
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3)
  • 半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-069617   Applicant：日本電信電話株式会社
  • 化合物半導体基板
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-324968   Applicant：京セラ株式会社
  • 半導体素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-056788   Applicant：ソニー株式会社
Cited by examiner (6)
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