Pat
J-GLOBAL ID：200903018404716060

超伝導量子干渉素子及びその製造方法

Inventor：
前田 京剛

About 前田 京剛

, 
ゴメス・エスピノーザ・ルイス・ベルトラン

About ゴメス・エスピノーザ・ルイス・ベルトラン


Applicant, Patent owner：
独立行政法人科学技術振興機構

About 独立行政法人科学技術振興機構


Agent (3)： 平山 一幸 ,  篠田 哲也 ,  小川 耕太
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007324093
Publication number (International publication number)：2009147179
Application date： Dec. 15, 2007
Publication date： Jul. 02, 2009
Summary：
【課題】絶縁バリア層の形成を不要とする新たな超伝導量子干渉素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】超伝導量子干渉素子10は、リング部12Aを有する超伝導体層12と、この超伝導体層12のリング部12Aの一部を跨いで配設された強磁性層13,13と、を有する。2つの強磁性層13、13がリング部12Aに跨いで被覆している。超伝導体層12のリング部12Aのうち強磁性層13,13で被覆した領域12B,12Bが、強磁性層13により超伝導体(S)から絶縁体(I)へ転移し、障壁となる。この構造により所謂SIS型のジョセフソン接合が2箇所で形成されるため、所謂DC-SQUIDを構成する。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
リング部を有する超伝導体層と、該リング部上に配設された一又は複数の強磁性層と、を備える超伝導量子干渉素子。
IPC (3)：
H01L 39/22 ,  H01L 39/24 ,  G01R 33/035
FI (3)：
H01L39/22 D ,  H01L39/24 C ,  G01R33/035
F-Term (18)：
2G017AA02 ,  2G017AD34 ,  4M113AA37 ,  4M113AA60 ,  4M113AC07 ,  4M113AC08 ,  4M113AC46 ,  4M113AD37 ,  4M113BA04 ,  4M113BC02 ,  4M113BC04 ,  4M113BC05 ,  4M113BC12 ,  4M113CA13 ,  4M113CA17 ,  4M113CA33 ,  4M113CA34 ,  4M113CA35
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
Show all
Cited by examiner (4)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM