超伝導量子干渉素子及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：平山一幸 , 篠田哲也 , 小川耕太
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007324093
Publication number (International publication number)：2009147179
Application date： Dec. 15, 2007
Publication date： Jul. 02, 2009
Summary：

【課題】絶縁バリア層の形成を不要とする新たな超伝導量子干渉素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】超伝導量子干渉素子10は、リング部12Aを有する超伝導体層12と、この超伝導体層12のリング部12Aの一部を跨いで配設された強磁性層13,13と、を有する。2つの強磁性層13、13がリング部12Aに跨いで被覆している。超伝導体層12のリング部12Aのうち強磁性層13,13で被覆した領域12B,12Bが、強磁性層13により超伝導体(S)から絶縁体(I)へ転移し、障壁となる。この構造により所謂SIS型のジョセフソン接合が2箇所で形成されるため、所謂DC-SQUIDを構成する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

リング部を有する超伝導体層と、該リング部上に配設された一又は複数の強磁性層と、を備える超伝導量子干渉素子。

IPC (3)：

H01L 39/22 , H01L 39/24 , G01R 33/035

FI (3)：

H01L39/22 D , H01L39/24 C , G01R33/035

F-Term (18)：

2G017AA02 , 2G017AD34 , 4M113AA37 , 4M113AA60 , 4M113AC07 , 4M113AC08 , 4M113AC46 , 4M113AD37 , 4M113BA04 , 4M113BC02 , 4M113BC04 , 4M113BC05 , 4M113BC12 , 4M113CA13 , 4M113CA17 , 4M113CA33 , 4M113CA34 , 4M113CA35

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

量子位相電荷結合素子
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2003-577344 Applicant：ディー-ウェイヴシステムズインコーポレイテッド
2-SQUID磁束計およびその駆動方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-333816 Applicant：株式会社日立製作所
超伝導トンネル接合
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-046458 Applicant：日本電気株式会社

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