半導体レーザ装置、その製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：若林忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997036192
Publication number (International publication number)：1998233548
Application date： Feb. 20, 1997
Publication date： Sep. 02, 1998
Summary：

【要約】【課題】容易なプロセスおよび配線によってヒーターを用いたレーザ発振波長制御を行うことが可能な半導体レーザ装置、その製造方法を提供すること。【解決手段】本発明における半導体レーザ装置は、少なくとも半導体レーザ301と、前記半導体レーザ301を加熱して、その発振波長を可変させる機能を有する微小ヒータ103と、前記半導体レーザ301をマウントする基板101とを有し、微小ヒータ103は基板101上の半導体レーザ301と接する面側に直接形成されることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

少なくとも半導体レーザと、該半導体レーザを加熱してその発振波長を可変させる機能を有する微小ヒータと、前記半導体レーザをマウントする基板とを有し、前記微小ヒータが前記基板上の前記半導体レーザに面する側に直接形成されていることを特徴とする半導体レーザ装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平1-147885
特開昭61-252681
集積化光装置及び製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-216632 Applicant：富士通株式会社

Show all

Return to Previous Page