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J-GLOBAL ID：200903018464249046

有機EL素子の製造方法

Inventor： 大島 賢司 ,  坂上 恵 ,  岩永 秀明
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 大島 一公
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993286370
Publication number (International publication number)：1995142168
Application date： Nov. 16, 1993
Publication date： Jun. 02, 1995
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 未発光部分の少ない有機EL素子を製造する。【構成】 陽極2のプラズマ表面処理を行った後、素子を大気中にさらすことなく、前記陽極2上に有機物層3,4、陰極5、封止膜6を順次形成する。

Claim (excerpt)：

基板上に、陽極、有機物層、陰極を順次積層してなる有機EL素子の製造方法において、陽極のプラズマ表面処理を行った後、前記陽極を大気中にさらすことなく、次いで前記陽極上に有機物層を形成することを特徴とする有機EL素子の製造方法。

IPC (3)：

H05B 33/10 ,  H05B 33/04 ,  H05B 33/14

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 有機EL素子の封止方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-187906   Applicant：出光興産株式会社
• 電界発光素子の電極作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-287255   Applicant：テイーデイーケイ株式会社
• 薄膜電界発光素子並びにその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-153545   Applicant：三井石油化学工業株式会社