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J-GLOBAL ID：200903018498572610

半導体集積回路装置の製造方法

Inventor： 二瀬 卓也
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
Agent (1)： 筒井 大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998242369
Publication number (International publication number)：2000077494
Application date： Aug. 27, 1998
Publication date： Mar. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】 粗面化された膜の凹凸を再現性よく、かつ高速に検査することのできる技術を提供する。【解決手段】 光の散乱または反射を測定することのできる光度計を用いて、表面積増加率が既知の粗面化された膜を有するn個の標準サンプルに波長の異なる連続光を照射して各波長における反射率をそれぞれ測定した後、標準サンプルにおいて表面積増加率Sと特定波長λx の光での反射率Rとの関係式を求める。次いで、上記光度計を用いて、表面積増加率が未知の粗面化された膜を有する測定サンプルの特定波長λx の光での反射率Ru を測定した後、上記関係式に反射率Ru を代入することによって、測定サンプルの粗面化された膜の表面積増加率Su を求める。

Claim (excerpt)：

光の散乱または反射を測定することのできる光度計を用いて、表面状態を表わす値が未知の粗面化された膜に特定波長の光を照射して反射率を測定した後、表面状態を表わす値が既知の粗面化された膜を用いて得られた既存の表面状態を表わす値と特定波長の光での反射率との関係式に、測定された前記反射率を代入することによって、前記表面状態を表わす値が未知の粗面化された膜の表面状態を解析する検査工程を含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/66 ,  G01B 11/30 102 ,  G01N 21/88

FI (3)：

H01L 21/66 W ,  G01B 11/30 102 Z ,  G01N 21/88 E

F-Term (42)：

2F065AA50 ,  2F065AA58 ,  2F065CC17 ,  2F065CC19 ,  2F065DD06 ,  2F065DD08 ,  2F065FF41 ,  2F065FF61 ,  2F065GG01 ,  2F065GG04 ,  2F065GG23 ,  2F065HH04 ,  2F065JJ03 ,  2F065LL67 ,  2F065PP22 ,  2F065QQ17 ,  2F065QQ41 ,  2F065RR06 ,  2G051AA51 ,  2G051AB20 ,  2G051BA08 ,  2G051BA10 ,  2G051BA20 ,  2G051CA01 ,  2G051CB01 ,  2G051CB05 ,  2G051EB01 ,  2G051EB02 ,  2G051EC03 ,  2G051EC07 ,  4M106AA01 ,  4M106AA02 ,  4M106AA10 ,  4M106AB07 ,  4M106AB12 ,  4M106BA02 ,  4M106BA04 ,  4M106BA05 ,  4M106BA20 ,  4M106CA24 ,  4M106DH01 ,  4M106DH12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 表面モニター方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-083482   Applicant：日本電気株式会社
• 特開平4-015933