Pat
J-GLOBAL ID:200903018520345258

超伝導発振器およびその作製方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 中村 純之助
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995214845
Publication number (International publication number):1997064643
Application date: Aug. 23, 1995
Publication date: Mar. 07, 1997
Summary:
【要約】【目的】従来より高温環境で動作し、かつ発振周波数のスペクトル幅が狭く急峻で、可変周波数の一体化構造の高周波発振器の実現及びその製造方法の開発。【構成】超伝導転移温度が高く異方性の大きい酸化物超伝導結晶に形成される積層構造のイントリンシック・ジョセフソン接合を用い、この超伝導結晶のc軸が基板表面と並行になるように配置し、かつ単結晶を用いるため超伝導であることの基板選択性がなく、低誘電率の誘電導体基板上に高周波回路、電源回路等も構成しストリップライン上での損失を押さえる構造としている。また、この超伝導イントリンシック・ジョセフソン接合素子を高精度で加工整形するために収束イオンビームによる加工法を用いた。また、実際の応用装置においては超伝導結晶のc軸を基板面と並行にして設置し、基板上に高周波回路、電源回路その他弱結合型のジョセフソン接合によるミキサー回路等各種回路を基板上に形成した。
Claim (excerpt):
基板上に超伝導イントリンシック・ジョセフソン接合を有する単結晶片、高周波回路、直流電源回路を備えた電圧制御型高周波発振回路であって、該単結晶片のc軸が該基板表面と並行になるように配置されたことを特徴とする超伝導発振器。
IPC (3):
H03B 15/00 ZAA ,  H01L 39/02 ZAA ,  H01L 39/22 ZAA
FI (3):
H03B 15/00 ZAA ,  H01L 39/02 ZAA B ,  H01L 39/22 ZAA D
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)

Return to Previous Page