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J-GLOBAL ID：200903018539117884
半導体装置およびその作製方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997249817
Publication number (International publication number)：1999074535
Application date： Aug. 29, 1997
Publication date： Mar. 16, 1999
Summary：
【要約】【課題】 ボトムゲイト型TFTのしきい値電圧を効果的に制御するための手段を提供する。【解決手段】 ガラス基板101上のゲイト電極03、104、ゲイト絶縁膜105上に非晶質珪素膜106を形成し、結晶化して結晶性珪素膜107を得る。その上にバッファ層108を形成して、しきい値電圧を制御するための不純物元素(13族または15族から選ばれた元素)を添加する。この添加方法としてはイオン注入法またはイオンドーピング法を用いる。
Claim (excerpt)：
絶縁表面を有する基板上に形成された複数のボトムゲイト型TFTを構成に含む半導体装置であって、前記複数のボトムゲイト型TFTのうち、少なくともNチャネル型で動作するTFTのチャネル形成領域中にはしきい値電圧を制御するための不純物元素が意図的に含ませてあり、前記チャネル形成領域中における前記不純物元素の濃度は、前記チャネル形成領域と当該チャネル形成領域に接したゲイト絶縁膜との界面に近づくほど減少していくことを特徴とする半導体装置。
IPC (2)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 29/78 618 F
, H01L 29/78 613 A
, H01L 29/78 616 A
, H01L 29/78 618 G
, H01L 29/78 627 G
