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J-GLOBAL ID：200903018550965560

強誘電体膜、強誘電体膜の製造方法、強誘電体キャパシタ、強誘電体キャパシタの製造方法、強誘電体メモリ装置、強誘電体メモリ装置の製造方法、機能性膜、機能性膜の製造方法

Inventor： 下田 達也 ,  西川 尚男 ,  古沢 昌宏 ,  名取 栄治 ,  三谷 洋興 ,  大久保 貴志
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 井上 一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001101613
Publication number (International publication number)：2002299582
Application date： Mar. 30, 2001
Publication date： Oct. 11, 2002
Summary：

【要約】【課題】 酸化物強誘電体材料やポリフッ化ビニリデン系の有機強誘電体材料でないものからなる、新規の強誘電体膜およびその製造方法を提供する。上記本発明に係る強誘電体膜を有する強誘電体キャパシタおよびその製造方法を提供する。上記本発明に係る強誘電体キャパシタを有する強誘電体強誘電体メモリ装置を提供する。新規な構成を有する機能性膜およびその製造方法を提供する。【解決手段】 強誘電体膜30は、ドナーを含む膜32と、アクセプターを含む膜34とを有する。ドナーを含む膜32およびアクセプターを含む膜34の少なくとも一方は、物質を自発的に集合させ、化学吸着させることにより形成された自己組織化膜を有する。機能性膜210は、ドナーを含む膜212と、アクセプターを含む膜214とを有する。

Claim (excerpt)：

ドナーを含む膜と、アクセプターを含む膜とを有し、前記ドナーを含む膜および前記アクセプターを含む膜の少なくとも一方は、物質を自発的に集合させ、化学吸着させることにより形成された自己組織化膜を有する、強誘電体膜。

IPC (4)：

H01L 27/105 ,  H01B 3/00 ,  H01L 21/312 ,  H01L 51/00

FI (7)：

H01B 3/00 F ,  H01L 21/312 A ,  H01L 21/312 M ,  H01L 27/10 444 A ,  H01L 27/10 444 B ,  H01L 27/10 444 C ,  H01L 29/28

F-Term (25)：

5F058AA07 ,  5F058AD01 ,  5F058AD02 ,  5F058AD07 ,  5F058AD09 ,  5F058AF04 ,  5F058AF06 ,  5F083FR02 ,  5F083FR03 ,  5F083FR07 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA42 ,  5F083JA43 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083NA01 ,  5G303AA10 ,  5G303AB05 ,  5G303BA03 ,  5G303CA09 ,  5G303DA01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 特開平3-073336
  
• 有機薄膜素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-243880   Applicant：株式会社東芝
• 有機強誘電体薄膜及び半導体デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-161431   Applicant：科学技術振興事業団, 財団法人神奈川科学技術アカデミー