多層膜形成装置及び多層膜形成方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：平木祐輔
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998094338
Publication number (International publication number)：1999298064
Application date： Apr. 07, 1998
Publication date： Oct. 29, 1999
Summary：

【要約】【課題】磁気抵抗効果素子に用いられる磁気トンネリング現象を示す多層膜の膜形成に要する時間を短縮する。【解決手段】多層膜を形成する膜形成室11とは別個に多層膜の一部を酸化させる酸化室14を設け、酸化室に独立に酸素を含むガスを導入し、酸化後、酸化室を排気する機構16を設けることにより、膜形成室11で次の層を形成するまでの時間を短縮する。

Claim (excerpt)：

膜形成室と、前記膜形成室内に配置された基板に膜を形成する膜形成機構と、前記膜形成室を排気する真空排気系とを有する多層膜形成装置において、前記膜形成室にバルブを介して接続された酸化室と、前記酸化室に酸素を含むガスを導入するガス導入系と、前記酸化室を排気する真空排気系とを備えることを特徴とする多層膜形成装置。

IPC (4)：

H01L 43/12 , G11B 5/39 , H01F 41/20 , C23C 14/56

FI (4)：

H01L 43/12 , G11B 5/39 , H01F 41/20 , C23C 14/56 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平1-116079
特開平4-334014
半導体製造装置及びロードロック室酸素濃度の制御方法及び自然酸化膜の生成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-118271 Applicant：国際電気株式会社

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