半導体製造装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：三好祥二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995278429
Publication number (International publication number)：1997102460
Application date： Oct. 02, 1995
Publication date： Apr. 15, 1997
Summary：

【要約】【目的】ロードロック室を具備する半導体製造装置に於いて、自然酸化膜の生成を防止し、高品質の薄膜の生成が行える様にしようとすると共に自然酸化膜生成防止に於けるコストの低減、時間の短縮を図る。【構成】反応炉1の内部、ロードロック室3の内部の少なくとも一方に還元ガスを導入し、或は反応炉内部に還元ガスを導入し、ロードロック室内部に不活性ガスを導入し、還元ガスの導入により自然酸化の原因となる物質を反応により酸化に寄与しない物質に変化させ、或は反応炉内を高濃度の還元ガス雰囲気とし更にロードロック室で希釈する。

Claim (excerpt)：

反応炉にロードロック室が連設された半導体製造装置に於いて、反応炉の内部、ロードロック室の内部の少なくとも一方に還元ガスを導入する様構成したことを特徴とする半導体製造装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開昭56-111038
エピタキシャル成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-335443 Applicant：株式会社東芝
窒化シリコン膜の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-055241 Applicant：ソニー株式会社

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