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J-GLOBAL ID：200903018628584402

有機半導体材料、それを用いた半導体装置及び電界効果トランジスタ

Inventor： 森 朋彦 ,  竹内 久人
Applicant, Patent owner： 株式会社豊田中央研究所
Agent (2)： 吉田 研二 ,  石田 純
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004285224
Publication number (International publication number)：2006100592
Application date： Sep. 29, 2004
Publication date： Apr. 13, 2006
Summary：

【課題】光や酸素等により酸化されにくい安定した特性を有し、高いキャリア移動度を有する有機半導体材料を実現する。【解決手段】下記一般式(1)等で示される化合物のいずれか1つである有機半導体材料である。R1〜R4のうち少なくとも1つはアルキル基、アリールアルキル基、またはアルキルアリール基のうちのいずれかである。また、少なくとも有機半導体層を有する半導体装置または電界効果トランジスタであって、有機半導体層は、一般式(1)等で示される化合物を含む。例えば、2置換から4置換の構造を有することにより、薄膜化した際に得られる結晶が2次元カラム形状の電流経路を形成することができ、高いキャリア移動度を実現することができる。 【化1】【選択図】なし

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)〜(5)で示される化合物のいずれか1つであることを特徴とする有機半導体材料。

IPC (2)：

H01L 51/05 ,  H01L 29/786

FI (2)：

H01L29/28 ,  H01L29/78 618B

F-Term (42)：

5F110AA01 ,  5F110AA14 ,  5F110BB01 ,  5F110BB03 ,  5F110BB05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110GG05 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK09 ,  5F110HK32 ,  5F110QQ06

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-324200   Applicant：旭化成株式会社