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J-GLOBAL ID：200903018672723320

磁気抵抗効果素子

Inventor： 岩崎 仁志 ,  大沢 裕一 ,  近藤 玲子 ,  橋本 進 ,  澤邊 厚仁 ,  上口 裕三 ,  佐橋 政司
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996331923
Publication number (International publication number)：1997186375
Application date： Nov. 01, 1993
Publication date： Jul. 15, 1997
Summary：

【要約】【課題】本発明は、軟磁気特性が良好で抵抗変化率△R/Rが充分なスピンバルブ構造の膜または人工格子膜を有し、高感度の磁気ヘッドに適用が可能である磁気抵抗効果素子を提供することを目的とする。【解決手段】基板上に、少なくとも強磁性膜、非磁性膜、および強磁性膜が順次積層されてなる積層膜を具備した磁気抵抗効果素子であって、少なくとも一方の強磁性膜はCo,Fe,およびNiからなる群より選ばれた少なくとも2種の元素を主成分とし、Pd,Al,Cu,Ta,In,B,Nb,Hf,Mo,W,Re,Ru,Rh,Ga,Zr,Ir,Au,およびAgからなる群より選ばれた少なくとも一つの元素が添加含有された組成を有することを特徴としている。

Claim (excerpt)：

基板上に、少なくとも強磁性膜、非磁性膜、および強磁性膜が順次積層されてなる積層膜を具備した磁気抵抗効果素子であって、少なくとも一方の強磁性膜はCo,Fe,およびNiからなる群より選ばれた少なくとも2種の元素を主成分とし、Pd,Al,Cu,Ta,In,B,Nb,Hf,Mo,W,Re,Ru,Rh,Ga,Zr,Ir,Au,およびAgからなる群より選ばれた少なくとも一つの元素が添加含有された組成を有することを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (4)：

H01L 43/08 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/08 ,  H01L 43/10

FI (4)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/08 ,  H01L 43/10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 磁気抵抗効果素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-296063   Applicant：株式会社東芝
• 磁気抵抗効果素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-202893   Applicant：株式会社東芝