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J-GLOBAL ID：200903018694557807

半導体装置およびその作製方法

Inventor：
山崎 舜平

About 山崎 舜平


Applicant, Patent owner：
株式会社半導体エネルギー研究所

About 株式会社半導体エネルギー研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997337670
Publication number (International publication number)：1999163363
Application date： Nov. 22, 1997
Publication date： Jun. 18, 1999
Summary：
【要約】【課題】 高性能な電気光学装置や半導体回路、さらにはそれらを搭載した電子機器を低価格で提供する。【解決手段】 スマートカット法を利用して得られる単結晶シリコン薄膜を、高耐熱性ガラスである結晶化ガラス上に形成する。その際、成分物質による汚染を防ぐために結晶化ガラス全面を絶縁性シリコン膜で保護する。こうすることで高性能な半導体装置を低価格で提供することが可能となる。
Claim (excerpt)：
歪点が750°C以上であるガラス基板と、前記ガラス基板の少なくとも表面及び裏面に対して形成された絶縁性シリコン膜と、前記絶縁性シリコン膜上に形成された単結晶シリコン薄膜をチャネル形成領域とするTFTと、を構成に含むことを特徴とする半導体装置。
IPC (2)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (5)：
H01L 29/78 626 C ,  H01L 29/78 618 Z ,  H01L 29/78 627 D ,  H01L 29/78 627 E ,  H01L 29/78 627 F
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
  • 薄い半導体材料フィルムの製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-246594   Applicant：コミサリヤ・ア・レネルジ・アトミク
  • 特開平2-256227
  • 特開平3-179778
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