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J-GLOBAL ID：200903018808512760

透明導電性積層体

Inventor： 森貞 和仁 ,  本庄 和彦 ,  山本 幸仁 ,  谷田部 俊明
Applicant, Patent owner： 帝人株式会社
Agent (1)： 前田 純博
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993138427
Publication number (International publication number)：1994349338
Application date： Jun. 10, 1993
Publication date： Dec. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】透明導電性の金属酸化物薄膜からなる透明導電層を、有機高分子成形物上に形成してなる透明導電積層体における耐久性および信頼性の向上。【構成】透明導電層として、透明導電性の金属酸化物薄膜中に、SiO2 、TiO2、Al2 O3 、ZrO2 、MgO、ZnOから選ばれた少なくとも1種類の金属酸化物を、原子組成比で0.5〜2%添加した物を用いる。

Claim (excerpt)：

透明導電性の金属酸化物薄膜からなる透明導電層を、有機高分子成形物上に形成してなる透明導電積層体において、透明導電層が、透明導電性の金属酸化物薄膜中に、SiO2 、TiO2 、Al2 O3 、ZrO2 、MgO、ZnOから選ばれた少なくとも1種類の金属酸化物を、原子組成比で0.5〜2%添加した物であることを特徴とする透明導電性積層体。

IPC (5)：

H01B 5/14 ,  B32B 9/00 ,  B32B 15/08 ,  C01G 15/00 ,  C01G 19/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 特開平4-206403
  
• 特開平2-309511
  
• 特開昭63-089656
  
• 特開昭64-010507
  
• 特開昭62-154411
  
• 高抵抗化酸化インジウム膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-021912   Applicant：日本曹達株式会社