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J-GLOBAL ID：200903018865145138

磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気記録再生装置

Inventor： 上 口 裕 三 ,  湯 浅 裕 美 ,  永 田 友 彦 ,  與 田 博 明
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000275417
Publication number (International publication number)：2002092826
Application date： Sep. 11, 2000
Publication date： Mar. 29, 2002
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 適当な抵抗値を有し、高感度化が可能で、かつ制御すべき磁性体層の数の少ない、実用的な磁気抵抗効果素子、それを用いた磁気ヘッド及び磁気記録再生装置を提供することを目的とする。【解決手段】 センス電流Iを膜面に対して垂直方向に流す磁気抵抗効果素子10Aにおいて、ピン層Pやフリー層Fを磁性層FFと非磁性層FNとの積層または磁性層と磁性層との積層構成とすれば、スピン依存散乱効果を有効的に利用しながら、適当な抵抗値を有し、高感度化が可能で、かつ制御すべき磁性体層の数の少ない、実用的な磁気抵抗効果素子を提供することができる。

Claim (excerpt)：

磁化の方向が実質的に一方向に固着された磁化固着層と、磁化の方向が外部磁界に応じて変化する磁化自由層と、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に設けられた非磁性中間層と、を備え、前記磁化固着層の前記磁化の方向と前記磁化自由層の前記磁化の方向との相対角度に応じて抵抗が変化する磁気抵抗効果素子であって、前記磁化固着層と前記磁化自由層の少なくともいずれかは、強磁性層と非磁性層とを交互に積層した積層体を有し、前記積層体における前記強磁性層は、互いに強磁性結合してなり、前記抵抗の変化を検出するためのセンス電流が、前記磁化固着層、前記非磁性中間層及び前記磁化自由層を膜面に対して略垂直方向に通電されることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (4)：

G11B 5/39 ,  G01R 33/09 ,  H01F 10/32 ,  H01L 43/08

FI (4)：

G11B 5/39 ,  H01F 10/32 ,  H01L 43/08 Z ,  G01R 33/06 R

F-Term (13)：

2G017AD55 ,  2G017AD63 ,  2G017AD65 ,  5D034BA03 ,  5D034BA05 ,  5D034BA08 ,  5D034CA08 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AC05 ,  5E049BA12 ,  5E049CB02

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 磁気センサ-
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-015251   Applicant：株式会社日立製作所

Cited by examiner (1)

• 磁気センサ-
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-015251   Applicant：株式会社日立製作所