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J-GLOBAL ID:200903018865419173
誘電体磁器組成物およびその製造方法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
米田 潤三 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999207461
Publication number (International publication number):2001031468
Application date: Jul. 22, 1999
Publication date: Feb. 06, 2001
Summary:
【要約】【課題】 PbO、Bi2O3等の環境汚染物質を含有せず、ガラス組成物を使用しなくても低温焼成が可能である誘電体磁器組成物であり、さらに、AgまたはAg合金を内部導体として使用しても、Agの拡散による誘電特性のバラツキが極めて少なく、かつ、内部導体と誘電体間の空隙の発生や、内部導体の外部接続導体部における引き込み発生のないマイクロ波用誘電体磁器を可能とする誘電体磁器組成物と、その製造方法を提供する。【解決手段】 誘電体磁器組成物を、一般式xBaO・yNd2O3・zTiO2(ただし、6≦x≦23、13≦y≦30、64≦z≦68、x+y+z=100の関係を有する)で表される主成分に対して、副成分としてCu酸化物をCuO換算にて0.1〜3.0重量%、Zn酸化物をZnO換算にて0.1〜4.0重量%、B酸化物をB2O3換算にて0.1〜3.0重量%、Agを0.3〜1.5重量%の範囲で含有したものとする。
Claim (excerpt):
主成分が一般式xBaO・yNd2O3・zTiO2(ただし、6≦x≦23、13≦y≦30、64≦z≦68、x+y+z=100の関係を有する)で表され、該主成分に対して副成分としてCu酸化物をCuO換算で0.1〜3.0重量%、Zn酸化物をZnO換算で0.1〜4.0重量%、B酸化物をB2O3換算で0.1〜3.0重量%、Agを0.3〜1.5重量%の範囲で含有することを特徴とする誘電体磁器組成物。
IPC (3):
C04B 35/46
, H01B 3/12 303
, H01P 7/10
FI (3):
C04B 35/46 D
, H01B 3/12 303
, H01P 7/10
F-Term (26):
4G031AA06
, 4G031AA07
, 4G031AA11
, 4G031AA25
, 4G031AA26
, 4G031AA28
, 4G031AA39
, 4G031BA09
, 4G031GA01
, 5G303AA02
, 5G303AB06
, 5G303AB08
, 5G303AB11
, 5G303AB15
, 5G303AB20
, 5G303BA12
, 5G303CA01
, 5G303CB02
, 5G303CB03
, 5G303CB11
, 5G303CB22
, 5G303CB35
, 5G303CB38
, 5G303CB43
, 5G303DA04
, 5J006HC07
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
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低温焼結誘電体磁器の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-157813
Applicant:富士電気化学株式会社
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誘電体磁器組成物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-003908
Applicant:宇部興産株式会社
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