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J-GLOBAL ID：200903018895126553

薄膜形成方法、半導体装置及びその製造方法

Inventor： 中林 正明
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 北野 好人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996047661
Publication number (International publication number)：1997246214
Application date： Mar. 05, 1996
Publication date： Sep. 19, 1997
Summary：

【要約】【課題】 膜厚や膜質等の安定したルテニウム膜、酸化ルテニウム膜を形成する薄膜形成方法を提供する。また、これらルテニウム膜、酸化ルテニウム膜を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 Ru(DMHPD)3を原料に用いた化学気相成長法により、ルテニウム膜又は酸化ルテニウム膜を形成する。Ru(DMHPD)3を安定して供給するために、Ru(DMHPD)3は、液体状にしたRu(DMHPD)3を気化して用いる。

Claim (excerpt)：

Ru(DMHPD)3を原料に用いた化学気相成長法により、ルテニウム膜又は酸化ルテニウム膜を成膜することを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (12)：

H01L 21/285 301 ,  H01L 21/285 ,  C01G 55/00 ,  C23C 16/18 ,  C23C 16/40 ,  C30B 25/02 ,  C30B 29/02 ,  C30B 29/16 ,  H01L 21/314 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (11)：

H01L 21/285 301 Z ,  H01L 21/285 C ,  C01G 55/00 ,  C23C 16/18 ,  C23C 16/40 ,  C30B 25/02 Z ,  C30B 29/02 ,  C30B 29/16 ,  H01L 21/314 A ,  H01L 21/88 M ,  H01L 27/10 651

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 第8族元素類の成膜法およびこれに使用する原料化合物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-224536   Applicant：同和鉱業株式会社