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J-GLOBAL ID：200903018905539118
電子線照射を用いたドーピング方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (1)：
碓氷 裕彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995320673
Publication number (International publication number)：1997157099
Application date： Dec. 08, 1995
Publication date： Jun. 17, 1997
Summary：
【要約】【課題】 高エネルギー電子線が半導体基板を突き抜けることによって生ずる照射ダメージを防止する。【解決手段】 基板上に、ドーピングする元素を有するドーパント基材を重ね合わせ、ドーパント基材側に電子線を、当該電子線が前記ドーパント基材中に停止する加速電圧で照射する。この際、用いるドーパント基材は、電子線照射方向の厚さdが、d=Rex /ρ(但し、Rexは射影飛程、ρはドーパント基材の密度)で表されるドーパント基材内での電子線進入距離dより大きい厚さのものを使用する。これにより、照射された電子線により基板がダメージを受けることを防止できる。
Claim (excerpt)：
基板上に、当該基板にドーピングする元素を有するドーパント基材を重ね合わせ、前記ドーパント基材側に電子線を、当該電子線が前記ドーパント基材中に停止する加速電圧で照射することで、前記ドーパント基材を構成する前記元素を前記基板内にドーピングする電子線照射を用いたドーピング方法であって、前記ドーパント基材は、前記電子線照射方向の厚さが、前記ドーパント基材内での電子線進入距離より大きい厚さのものを使用することを特徴とする電子線照射を用いたドーピング方法。
IPC (4)：
C30B 31/20
, C23C 26/00
, H01L 21/22
, H01L 21/263
C30B 31/20
, C23C 26/00 E
, H01L 21/22 E
, H01L 21/263
